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dc.contributor.authorBaghdadi Mustapha
dc.contributor.otherBenfdila Arezki
dc.date.accessioned2019-11-12T13:03:41Z
dc.date.available2019-11-12T13:03:41Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationGénie Microélectronique
dc.identifier.otherMAST.AUTO.78-17en
dc.identifier.urihttps://dl.ummto.dz/handle/ummto/7657
dc.description67 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)en
dc.description.abstractCe travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors : Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction. Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).en
dc.language.isofren
dc.publisherUniversité Mouloud Mammerien
dc.subjectBJTen
dc.subjectHBTen
dc.subjectHyperfréquencesen
dc.subjectAtlas SILVACOen
dc.subjectTransistoren
dc.titleCaractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences.en
dc.typeThesisen


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