Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences.

dc.contributor.author	Baghdadi Mustapha
dc.contributor.other	Benfdila Arezki
dc.date.accessioned	2019-11-12T13:03:41Z
dc.date.available	2019-11-12T13:03:41Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Génie Microélectronique
dc.identifier.other	MAST.AUTO.78-17	en
dc.identifier.uri	https://dl.ummto.dz/handle/ummto/7657
dc.description	67 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)	en
dc.description.abstract	Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors : Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction. Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).	en
dc.language.iso	fr	en
dc.publisher	Université Mouloud Mammeri	en
dc.subject	BJT	en
dc.subject	HBT	en
dc.subject	Hyperfréquences	en
dc.subject	Atlas SILVACO	en
dc.subject	Transistor	en
dc.title	Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences.	en
dc.type	Thesis	en