Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences.

Abstract

Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors : Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction. Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).