Transistor à effet de champ à base des nanotubes de carbone CNFET

Abstract

Dans les années à venir, l'industrie de la microélectronique doit développer de nouvelles filières technologiques qui pourront devenir des successeurs ou des compléments de la technologie CMOS ultime. Parmi ces technologies émergentes relevant du domaine " Beyond CMOS ", ce travail de recherche porte sur les transistors à effet de champ a base des nanotubes de carbone. En raison de leur faible taille et de leurs propriétés électriques variables, les nanotubes de carbone apparaissent comme le matériau idéal pour replacer les conducteurs et les semiconducteurs contenus dans les circuits intégré actuels. C'est dans ce contexte que se situe ce travail qui présente une modélisation compacte physique et électrique du transistor à nanotubes de carbone double grille DG-CNFET. La modélisation est essentielle pour comprendre les propriétés électriques du modèle proposé à l'échelle nanométrique, afin de pouvoir s'adapter aux diverses technologies de ce transistor. Les résultats obtenus sont présentés et interprétés, nous avons analysé l'influence des variations des paramètres du CNTFET (diamètre du canal, sous bande d'énergie...) sur les performances électroniques dans les CNTFET's