Etude et élaboration du siliciure de manganèse semi-conducteur pour applications thermoélectriques

Abstract

Dans la première partie de ce travail nous avons suivi la formation des siliciures de manganèse en partant d’une couche mince de Mn déposé sur du Si(100). Nous avons ainsi détecté la première phase qui se forme dans ce système et à température relativement basse (380°C) par caractérisation DRX in-situ, en suite nous avons proposé une correction pour le modèle de Zhang pour la formation des phases dans ce système (Mn/Si) en plus de la succession des phases que nous avons obtenu jusqu’à des températures élevées (900°C). Dans la deuxième partie de cette thèse nous avons caractérisé le film obtenue en surface (pour les températures élevées) que ce soit du point de vu physicochimique (phase, rugosité de surface, succession des couches jusqu’en volume) ou du point de vue thermoélectrique (résistance de surface, pouvoir thermoélectrique) et des résultats très satisfaisants ont été obtenu. Nous avons utilisé au court de ce travail plusieurs méthodes d’élaboration de couches minces (évaporation et pulvérisation) suivi de traitements (four classique, RTP et recuit in-situ DRX et résistance 4pointes) ainsi que pour la caractérisation (AFM, MEB, DRX, résistance 4pointes, microscopie optique à haute résolution, mesure du pouvoir thermoélectrique, figure de pôles)