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    • Etude du comportement du transistor HEMT en HF 

      Allaf Mohammed (Université Mouloud Mammeri, 2017)
      Ces dernières années, le transistor HEMT (Hign Electron Mobility Transistors) à base d’hétérostructure AlGaN/GaN, fait l’objet d’intenses recherches et investigations. Celles-ci ont montré l’efficacité de ce composant pour ...